硅碳棒標定曲線的準確程度直接影響實際測量的精度，為此，應注意標定曲線與原始數據的正確采集。在標定或實測時，由x一Y函數記，錄儀得到的是兩條波動的曲線，這是因環境干擾而產生的，為了提高測定精度，可選取校平滑的一段且在此段內多取兒點，取共平為俄-繪制標定曲線時，要盡可能多取幾點，用光滑的曲線連接。標定裝置的性能指標標定范圍為:0-v800 "C和0一900 ℃標定裝界的標定精度選用鎳鉻一鎳硅碳棒和鎳鉻一考銅硅碳棒(均為標準硅碳棒)來校準該標定裝置的標定精度。具體的采集數據見表:表中，標準熱電偶的冷端溫度為2 3 "C。從表中可算出標定裝置的標定精度在2%以下。單晶在中子和x射線單色器及激光核聚變靶材等領域有重要應用前景。本文采用自制的硅碳棒單晶生長爐和特制的鍍碳石英生長柑禍，采用垂直布里奇曼法在的溫度梯度下，以的下降速度生長出較高質量的銅單晶體。生長的晶體經多次研磨拋光腐蝕處理后進行x射線衍射分析和金相分析，顯示出(Zoo>晶面尖銳的x射線衍射峰和規則的方形蝕坑，表明生長的晶體結構完整。
  銅((cu)晶體是面心立方結構的金屬晶體，具有反射面間距小、相干散射強撒射振幅為的優點，在選擇單色中子束和x射線時分辨率高、反射強度大，是理想的中子和x射線單色器用材a。同時銅單晶具有良好的電學、熱學性能及非常優異的塑性，被認為是激光核聚變靶材有競爭力的候選材料之一。因此銅單晶除可以在集成電路、大型計算機、電子儀器、高檔音像設備等領域廣泛應用外，還具有一些新的重要應用前景，例如激光核聚變靶材、中子單色器、x射線單色器等。
  目前國內主要是用單晶連鑄技術生產銅單晶線材，由于連鑄銅單晶不是完整的單晶體，因此難于滿足一些特殊的應用要求。關于大尺寸銅單晶研制的報道很少，由于銅的熔點較高(1083℃)，加熱時極易氧化.采用布里奇昌法牛長銅單晶時對牛長設各的要求較為苛刻19”2’。我們在自制的硅碳棒單晶牛長爐中，使用特制的鍍碳石英生長增，采用垂直布里奇曼法生長出較高質量的銅單晶體。www.airaffairphoto.com